IEC 60747-8-4-2004 半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
作者:标准资料网 时间:2024-05-19 04:49:36 浏览:8858
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【英文标准名称】:Discretesemiconductordevices-Part8-4:Metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistors(MOSFETs)forpowerswitchingapplications
【原文标准名称】:半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
【标准号】:IEC60747-8-4-2004
【标准状态】:现行
【国别】:国际
【发布日期】:2004-09
【实施或试行日期】:
【发布单位】:国际电工委员会(IEC)
【起草单位】:IEC/SC47E
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:
【摘要】:Givesdetailsforthefollowingcategoriesofmetal-oxidesemiconductorfield-effecttransistors(MOSFETs)withinversediodes:typeBdepletion(normallyon)typeandTypeCenhancement(normallyoff)type.
【中国标准分类号】:L44
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:130P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:半导体分立器件.第8-4部分:电力开关装置用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)
【标准号】:IEC60747-8-4-2004
【标准状态】:现行
【国别】:国际
【发布日期】:2004-09
【实施或试行日期】:
【发布单位】:国际电工委员会(IEC)
【起草单位】:IEC/SC47E
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:
【英文主题词】:
【摘要】:Givesdetailsforthefollowingcategoriesofmetal-oxidesemiconductorfield-effecttransistors(MOSFETs)withinversediodes:typeBdepletion(normallyon)typeandTypeCenhancement(normallyoff)type.
【中国标准分类号】:L44
【国际标准分类号】:31_080_30
【页数】:130P;A4
【正文语种】:英语
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